采用倒装芯片球栅格阵列的封装形式，具有高密度I/O数以及高散热性。其产品主要特点为：多高层结构、大尺寸、超精细线路等级，增层多使用SAP工艺进行进行线路的制作。主要应用在CPU、GPU、FPGA、ASIC等高运算性能产品。
1. 高多层结构：1-2-1 ~ 10-2-10
2. Unit尺寸：21mm×21mm ~ 77.5mm×77.5mm
3. 精细线路：SAP工艺，9/12μm
4. 表面处理：ENEPIG+SOP / IT+SOP / OSP+SOP
数据中心、智能驾驶、人工智能、高性能计算（HPC）等领域
指的是系统级封装，这种封装将多种功能芯片或晶圆和被动元器件集成在一个封装内，从而实现一个基本完整的系统功能，以实现多功能、小尺寸、高性能、低成本的目标。
· 层数/layer amount: 2~8层/Layer
· 线宽公差：减成法：±10μm，改进半加成法：±5μm
· 表面处理：化学学镍钯金或电镀镍金，支持WB和FC封装
· 盲孔孔径/孔盘：60/100μm,
· 相邻层与任意层层间对位能力：25μm Max/50μm Max
· 支持孔上打线设计，塞孔凹陷-3~+5μm
消费电子、通信、计算机、工业自动化以及汽车电子等领域
保存程序和各种数据等的存储介质，半导体存储器占比最大的两类主要为DRAM以及NAND，其中DRAM细分产品包含DDR、LPDDR、GDDR，NAND细分产品包含eMMC、eMCP、UFS、uMCP、SSD及SD、MSD等卡类产品。
· 层数/layer amount: 2,3,4
· 超薄板： 2L 80μm, 3L 100μm, 4L 130μm
· 精细手指：pitch/width/space:70/40/15μm
· 油墨平整度SR Flatness：线路3μm, 孔5μm
· 盲孔孔径BLV/孔盘Land：60/105μm
智能手机、智能平板、智能穿戴等消费电子、数据通讯、汽车电子、工业控制等领域
此类基板特征为Top面有呈阵列排列的焊料凸点（Bump pad)，将晶片之正面翻覆(Flip)后，以凸块(Bumping)形式可直接与基板连接，信号传输路径短，晶粒背面外露，散热性能特别好；背面为球形触点阵列，背面带金属球，用于连接产品和PCB板，实现产品功能。
· 层数/layer amount: 2~8层/layer
· 线宽trace width/线距space：8/10μm(ETS) and 15/15μm(MSAP)
· 值球焊垫中心距/Bump pitch:130μm
· 典型表面处理/Typical Surface finish：OSP/ENEPIG
· 油墨对准度SM Registration：±12.5μm
· 支持阻抗设计/Support Impedance
智能手机、智能平板、智能穿戴等消费电子、数据通讯、汽车电子、工业控制、医疗器械等领域
此类基板特征为Top面有用于打线的Bonding Finger设计，芯片通过银胶黏贴在基板的正面或背面，芯片与基板连通通过打线实现；Bot面设计有BGA PAD，封装产品的背面带金属球，用于连接产品和PCB板，实现产品功能。
· 层数/layer amount: 2~8层/layer
· 线宽trace width/线距space：25/25μm
· 手指finger width/手指间距finger space：90/40μm
· 严格的油墨平整度要求/ Strict SM flatness control ≤5μm
· 支持无引线电镀镍金设计/Support Bussless Design
智能手机、智能平板、智能穿戴等消费电子、汽车电子、工业控制、医疗器械等领域
微机电系统中的一大类，包括麦克风和耳机产品，主要设计有埋容、埋阻、空腔、凸台等，尺寸大多介于1.5X1.5mm ~ 5X5mm之间。
· 层数/layer amount: 2,4,6
· 埋电容材料电容密度/nEmbeded capacitance density Max.40nf/in2:
· 容值精度/Capacitor value tolerance: Target±20%
· 埋电阻材料方阻率/Rs for Embeded resistance material：10~250 Ω/□
· 基板阻值精度/Resistor value tolerance: Target±20%
· 结构多样，支持树脂塞孔和铜塞孔/ Multiple structure, support resin and copper plugging
· 声孔孔径公差/ Port Hole Dia Tolerance (NPTH):±50μm
智能手机、智能平板、智能穿戴等消费电子、汽车电子等领域